半導(dǎo)體制造中，乙烯基溴化鎂（CH?=CHMgBr）作為格氏試劑的重要成員，在材料合成與表面處理領(lǐng)域具有獨(dú)特應(yīng)用價(jià)值，主要體現(xiàn)在以下三方面：

1. 有機(jī)半導(dǎo)體前驅(qū)體合成

在有機(jī)電子器件（如OLED、柔性傳感器）開(kāi)發(fā)中，乙烯基溴化鎂用于合成共軛高分子材料。其活性乙烯基與芳香鹵代物通過(guò)交叉偶聯(lián)反應(yīng)，可構(gòu)建π-π共軛骨架，例如在合成聚苯乙烯衍生物時(shí)，該試劑能精準(zhǔn)引入乙烯基側(cè)鏈，調(diào)控材料載流子遷移率（可達(dá)10?2 cm2/Vs量級(jí)）。相較于傳統(tǒng)催化劑，其反應(yīng)選擇性提升約30%，副產(chǎn)物減少。

2. 表面功能化修飾

在硅基半導(dǎo)體晶圓加工中，通過(guò)氣相沉積技術(shù)，乙烯基溴化鎂可在硅表面形成單分子層修飾。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，經(jīng)處理的SiO?界面接觸角從35°降至12°，表面能提升至65 mN/m，有效改善介電層與金屬電極的粘附強(qiáng)度。在14nm制程中，這種處理使界面缺陷密度降低至10? cm?2以下。

3. 納米結(jié)構(gòu)催化生長(zhǎng)

在量子點(diǎn)合成領(lǐng)域，作為鎂源參與溶液-液相-固相（SLS）生長(zhǎng)機(jī)制。在制備ZnO納米線時(shí)，添加0.5mol%乙烯基溴化鎂可使生長(zhǎng)速率提升至200nm/min，直徑分布標(biāo)準(zhǔn)差縮小至±2.1nm。其分解產(chǎn)生的Mg2+能調(diào)節(jié)晶體取向，使（002）晶面占比從68%提升至92%。

當(dāng)前前沿研究聚焦于開(kāi)發(fā)低溫（<150℃）工藝兼容性，部分企業(yè)已實(shí)現(xiàn)將該試劑應(yīng)用于卷對(duì)卷印刷半導(dǎo)體制造，使柔性器件生產(chǎn)成本降低18%。隨著第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展，其在寬禁帶半導(dǎo)體表面鈍化處理中的潛力值得關(guān)注。